氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶.pdf

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本发明获得一种薄膜晶体管，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足0.070≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.200、0.250≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.600、0.180≦Zn/(I

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114761607 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202080084596.1 湖山贵之　 (22)申请日 2020.12.07