一种用于实现局灶性TMS干预的磁场屏蔽装置.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种用于实现局灶性TMS干预的磁场屏蔽装置.pdf

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本发明涉及一种用于实现局灶性TMS干预的磁场屏蔽装置，包括上层硅钢板层、中层坡莫合金板层和下层隔热层，中间设有上下贯通的中孔。与现有技术相比，本发明构建外层不易饱和高导磁材料(硅钢)，联合内层易饱和高导磁材料(坡莫合金)所制作的复合磁屏蔽材料，可实现TMS磁场的屏蔽，而通过该复合磁屏蔽材料中心打孔，也可在不改变中心区域磁场强度及感应电场强度的情况下，进一步实现打孔区域的局部TMS刺激。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114748795 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202110028208.4 (22)申请日 2021.01.08 (71)申请人复旦大学附属华山医院地址 200