半导体器件、蚀刻系统及用于回蚀刻的方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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半导体器件、蚀刻系统及用于回蚀刻的方法.pdf

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本发明的实施例涉及半导体器件、蚀刻系统及用于回蚀刻的方法。工件定位在工件支撑件上，该工件支撑件包括多个温度控制区。通过测量工件上多个位置处的多个蚀刻前表面高度或厚度来确定蚀刻前表面形貌。多个位置对应于工件支撑件上的多个温度控制区。基于所测量的多个蚀刻前表面高度或厚度，加热或冷却温度控制区域中的至少第一区域，使得第一区域具有与温度控制第二区域的第二温度不同的第一温度。在第一区域具有与温度控制区域的第二区域的第二温度不同的第一温度的同时执行干蚀刻。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114758951 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202110806779.6 (22)申请日 2021.07.16 (30)优先权数据