仿真模型及仿真方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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涉及仿真模型及仿真方法。本发明的目的在于准确地对CSTBT的动作进行仿真。CSTBT(12)的仿真模型(101)具有：MOSFET(21)；二极管(22)，其阴极与MOSFET(21)的漏极连接；电容(CGE)，其连接于MOSFET(21)的源极和栅极之间；电容(CCG)，其连接于MOSFET(21)的栅极和二极管的阳极之间；电容(CCE)，其连接于MOSFET(21)的源极和二极管的阳极之间；电容(CDG)，其连接于MOSFET(21)的漏极和栅极之间；行为电源(VDG)，其在MOSFET(2

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114764552 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202210017151.2 (22)申请日 2022.01.07 (30)优先权数据 2021