半导体单元结构及形成集成电路的方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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半导体单元结构及形成集成电路的方法.pdf

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一种半导体单元结构及形成集成电路的方法，半导体单元结构包括在第一类型主动区域内对准的第一类型晶体管、在第二类型主动区域内对准的第二类型晶体管、第一电源轨道及第二电源轨道。第一类型主动区域及该第二类型主动区域中的每一者处于在第一方向上延伸的第一对准边界及第二对准边界之间，第一方向垂直于第二方向。第一电源轨道的长边缘与第一类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的第一距离与第二电源轨道的长边缘与第二类型主动区域的第一对准边界之间的沿着第二方向的第二距离相差预定距离。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114784002 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202110835298.8 (22)申请日 2021.07.23 (30)优先权数据 17/213,980 2021