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提供一种形成单片LED前驱体的方法。该方法包括：提供具有顶表面的衬底；在衬底的顶表面上形成包含III族氮化物的第一半导体层；用LED掩模层选择性地掩模第一半导体层，LED掩膜层包括孔，该孔通过LED掩模层的厚度到第一半导体层的未掩模部分限定LED阱，LED阱包括从第一半导体层的顶表面延伸到LED掩模层的顶表面的LED阱侧壁；以及在第一半导体层的未掩膜部分上的LED阱内选择性地形成单片LED堆叠。单片LED堆叠包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，n型半导体层包含III族氮化物且形成在第一半导体
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114788003 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202080085843.X (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理
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