用于半绝缘GaN外延层生长的SiC衬底表面处理方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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用于半绝缘GaN外延层生长的SiC衬底表面处理方法.pdf

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本发明涉及一种用于半绝缘GaN外延层生长的SiC衬底表面处理方法。该方法在生长AlN形核层之前通过低温预通Ga源‑高温挥发的循环工艺去除SiC衬底表面的氧化层，以能够有效减少AlN和SiC衬底界面附近外延层中氧杂质浓度，提高GaN外延层的结晶质量，并防止氧原子向GaN外延层扩散，提高GaN外延层的电阻率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114758948 B (45)授权公告日 2022.08.19 (21)申请号 202210663628.4 H01L 21/335 (2006.01)