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本公开提供了一种外延片、外延片的制备方法和发光二极管芯片,属于光电子制造技术领域。该外延片包括蓝宝石衬底和外延层,所述外延层位于所述蓝宝石衬底的表面;所述蓝宝石衬底靠近所述外延层的表面具有多个凸起结构,多个所述凸起结构间隔排布,所述凸起结构的折射率位于所述蓝宝石衬底的折射率和所述外延层的折射率之间。本公开能改善因光子在蓝宝石衬底和外延层的交界处形成全反射,而导致光子无法逃逸的问题,提升发光二极管的发光效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114784162 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210187796.0
(22)申请日 2022.02.28
(71)申请人 华灿光电(浙江)有限公司
地址 3
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