一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的方法.pdf

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本发明属于半导体材料领域，具体是一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的方法，包括：将高纯铟置于真空环境下，维持650‑850℃的温度，保温4‑6h后，逐渐冷却至室温；再将高纯磷置于真空环境下，继续加热磷所在区域，并维持150‑250℃，保温2h后停止加热，逐渐冷却至室温；将原料磷和铟置于反应管内，密封后，对于反应管所在空间充氩气至0.2MPa；将铟所在的温度环境加热至1000‑1100℃，再升高磷所在的温度环境至450‑550℃，并保持24h，完成磷化铟多晶生长过程；取出后用混合酸浸泡，并密封

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114763625 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110041596.X (22)申请日 2021.01.13 (71)申请人铟杰（上海）半导体技术有限公司地址