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本发明涉及一种用于半导体原料晶圆加工的单晶硅炉，包括底座，底座的上方设置有炉体，炉体的两侧均设置有减震机构，其下方设置有电机，且炉体的内壁固定连接有保温筒，电机的输出轴顶端贯穿炉体的底部并固定连接有转盘，转盘顶部放置有石英坩埚，保温筒两侧均设置有加热机构，其顶部两侧均设置有泄压机构，炉体的顶部安装有炉盖。本发明可实现自动泄压，以保证保温筒内的气压平衡，从而避免保温筒内的气压过大而引发安全隐患，并且可对对石英坩埚进行限位，以便提高石英坩埚的稳定性，此外还可起到对炉体的减震作用，以便减小该单晶硅炉的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114775038 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210327102.9
(22)申请日 2022.03.30
(71)申请人 赵董生
地址 116699 辽宁省
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