应变减少的氮化铟镓发光二极管.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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一种形成LED发射器的方法包括：在衬底(310)上提供III族氮化物层，所述III族氮化物层具有平面顶表面；在所述顶表面上提供离散的横向生长区域；在每个离散的横向生长区域上选择性地外延生长包括In(x)Ga(1‑x)N材料的基极区域(1210)，每个基极区域垂直于所述顶表面延伸；在所述基极区域(1210)的部分上提供所述In(x)Ga(1‑x)N材料的表面，所述表面具有弛豫应变，并且其特点在于基极晶格常数在其体弛豫值的0.1％内；以及在所述表面上外延生长LED区域，所述LED区域包括与所述In(

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114762083 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202180006831.8 (74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限