范德华间隙场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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范德华间隙场效应晶体管及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种范德华间隙场效应晶体管，所述晶体管具有过饱和氧增大物理吸附界面，包括衬底，在所述衬底上形成半导体沟道层，栅极介电层位于所述半导体沟道层上方并与之交叠，所述栅极介电层通过将二硫化铪氧化成二氧化铪制成。本发明利用臭氧处理机的富氧环境对二维材料进行可控充分氧化，实现了过饱和氧增大物理吸附界面的范德华间隙场效应晶体管，制备简单，性能卓越，可控性强。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114759086 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210358434.3 (22)申请日 2022.04.06 (71)申请人湖南大学地址 410082 湖