表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料及制备方法和应用.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料及制备方法和应用.pdf

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表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料及制备方法和应用。涉及超级电容器技术领域，解决了电极材料比电容、电导率、循环寿命及能量密度低的问题。表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料的制备方法：碳纤维布浸入含有多嵌段共聚物、硼酸和尿素的混合溶液中，进行化学浴反应，通过洗涤、干燥得到修饰后的碳纤维布；再放入管式炉中，以氮气为保护气升温至特定温度后持续煅烧，得到的B、N掺杂三维多孔碳；浸入含有钼酸铵和硫脲的混合溶液中进行热反应得到表面原位生长硫化钼纳米片的B、N共掺杂多孔碳材料。还提供

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114758902 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210371515.7 (22)申请日 2022.04.11 (71)申请人长春工业大学