一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法.pdf

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本发明公开了一种降低Grinding过程Dimple率的自净化方法，其自净化方法包括以下步骤：S1、首先准备好需要进行加工的硅片材料备用，并且通过Table释放真空产生吸力，将需要加工的硅片吸附到其表面上，并且通过采用磨轮从上面进行实时研磨净化硅片。S2、然后在研磨净化的过程中，可根据实际研磨净化的需要，通过人员对Table转速进行实时调节，使得Table的转速调整降至最低，进而有效的降低离心力的影响，避免因为边缘无陶瓷孔，边缘杂质不容易被排除且边缘Dimple问题对后道影响更大，导致后道更难修

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114758950 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210227627.5 (22)申请日 2022.03.08 (71)申请人中环领先半导体材料有限公司地址