半导体结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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半导体结构及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的多层金属互连层，每层所述金属互连层均包括层间介质层和金属互连结构，其中，所述层间介质层包括依次层叠的第一氧化物层、氮化物层与第二氧化物层。以此增大所述层间介质层自身的应力，可以有效抵抗来自通孔或凹槽的应力，避免所述层间介质层产生裂缝，并且氮化物层与氧化物层的薄弱地方不一样，也可以减少裂缝的产生，从而保证隔离效果，避免漏电流通道的产生，同时不会对电性及可靠性造成影响，从而提高器件的良率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114743952 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210664153.0 (22)申请日 2022.06.14 (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址