一种低介电聚酰亚胺铜基板及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种低介电聚酰亚胺铜基板及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种低介电聚酰亚胺铜基板及其制备方法，铜基板的介电常数为3.5‑4.1，铜基板的介电损耗为0.002‑0.005，铜基板的热膨胀系数为20‑60(ppm/℃)，本发明的铜基板，通过预先加入氰酸脂树脂，形成三嗪环，再与双马来酰亚胺聚合，得到含有三嗪环结构的高交联密度的立体网状结构，实验发现，带有三嗪结构的材料制成的铜基板降低了介电常数和介电损耗，高交联密度结构提高了铜基板的玻璃化转变温度Tg并且降低了热膨胀系数CTE。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114763435 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110374856.5 B32B 15/18 (2006.01)