原位PECVD覆盖层.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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原位PECVD覆盖层.pdf

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用于以介电材料填充间隙的方法包含使用原子层沉积(ALD)技术进行沉积以填充间隙，然后通过化学气相沉积(CVD)技术在所填充的间隙上沉积覆盖层。该ALD沉积可以是等离子体增强ALD(PEALD)或热ALD(tALD)沉积。该CVD沉积可以是等离子体增强CVD(PECVD)或热CVD(tCVD)沉积。在一些实施方案中，该CVD沉积与该ALD沉积是在相同的处理室中执行而不干扰处理操作。该覆盖层的原位沉积的结果是具有高度均匀性的高产出处理。在一些实施方案中，在该处理之后，衬底就已准备好进行化学机械平坦化

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114761612 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202080083785.7 弗兰克 ·洛伦 ·帕斯夸里　