一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器.pdfVIP

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2023-05-17 发布于四川
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一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器.pdf

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本发明公开了一种具有InAlN背势垒层的重金属离子检测传感器，属于半导体、化学传感技术领域。所述重金属离子检测传感器，包括：衬底材料上依次形成的成核层、缓冲层、InAlN背势垒层、沟道层、势垒层、钝化层以及源极、漏极和栅极；本发明引入InAlN背势垒结构抬高了缓冲层势垒，降低了器件的寄生效应、抑制缓冲层漏电流，从而提高了传感器检测的可靠性；采用半胱氨酸溶液修饰栅极，半胱氨酸的羧基和氨基与重金属离子结合成螯合物的能力较强，提高了提高传感器的灵敏度；且半胱氨酸材料无毒害、自组装修饰效果好，修饰时间较

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823892 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210396624.4 (22)申请日 2022.04.15 (71)申请人江南大学地址 214122 江