基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法.pdf

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本申请涉及光电探测领域，具体而言，涉及一种基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器及SnS2/MoS2异质结的制备方法。基于SnS2/MoS2的PEC型光电探测器包括电解质槽、参比电极、工作电极、对电极，参比电极、工作电极、对电极的固定端均通过卡孔固定在电解质槽的盖子上，自由端均悬于电解质槽内，且不与电解质槽的底部接触，工作电极包括导电基底、MoS2层、SnS2层，MoS2层与导电基底接触，SnS2层设置于MoS2层远离导电基底的一侧，即工作电极的工作物质为SnS2/MoS2异质结。SnS2/

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114812805 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210459823.5 (22)申请日 2022.04.24 (71)申请人西北大学