一种铌酸锂薄膜刻蚀方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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一种铌酸锂薄膜刻蚀方法.pdf

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本发明公开了一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，包括硅衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂芯层、第一铬金属阻挡层；针对现有的干法刻蚀重新对氟基气体和氩离子刻蚀环节进行优化，以氟基气体为主的化学物理作用侧重于提高刻蚀效率和增加刻蚀深度，以氩离子为主的物理作用侧重于去除前一种刻蚀方法中生成的氟化锂固体沉积物，两者相互结合以实现铌酸锂薄膜的高效和高质量刻蚀。尤其是对于大膜厚的铌酸锂薄膜，在上述刻蚀方法的作用下，也可以起到明显的作用和效果。因此本发明的刻蚀方法适用于所有膜厚

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823350 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210400657.1 (22)申请日 2022.04.17 (71)申请人中南大学地址 410083 湖