一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物.pdfVIP

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2023-05-17 发布于四川
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一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物.pdf

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本发明公开了一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物，包括以下步骤：(1)对表面有二氧化硅薄层的衬底进行低温退火处理；(2)采用氮等离子体对二氧化硅薄层进行低温氮化处理形成成核点；(3)采用低温外延形成InN纳米柱形貌；(4)升高衬底温度后，继续生长InN纳米柱。本发明提供的制备方法采用对衬底表面二氧化硅薄层进行氮化处理，在氮化处理后形成的成核层上低温获得InN纳米柱形貌，并且本发明采用的SiO2/InN异质结结构可实现不同衬底上InN纳米柱异质结结构的制备，有助于实现新型InN基光电子器件的设计

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114808119 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210250161.0 B82Y 30/00 (2011.01)