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本申请公开了一种碳化硅籽晶及由其制得的碳化硅单晶片、单晶锭。其中,所述碳化硅单晶片包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽均不大于16arcsec;所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽的差值不大于5arcsec。本申请的碳化硅单晶片质量较高且不同位置处结晶质量均匀,晶型一致性好。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114808128 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210257397.7 B05C 5/02 (2006.01)
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