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本发明公开一种1T’MoTe2纳米薄膜的制备方法。本发明以金属钼箔为原料，设计得到三氧化钼箔；再把三氧化钼箔覆盖在一片二氧化硅基底上方作为钼源前驱体，从而形成金属前驱体分子扩散受限的微型反应空间；待化学气相沉积系统升温至指定温度后，前驱体被输运至生长区域；通过调控空间限域的高度，获得不同厚度1T’MoTe2纳米薄膜。本发明基于空间限域的常压化学沉积法，通过调节生长温度以及生长基底与氧化钼箔之间的空间限域高度等生长参数，可以实现大面积均匀的1T’MoTe2纳米薄膜的制备，从而可实现大规模的1T’M
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114807897 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210443144.9
(22)申请日 2022.04.25
(71)申请人 湘潭
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