半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：叠层结构，包括沿着垂直于堆叠方向的第一方向设置的存储阵列结构和多个分区阶梯结构，其中，所述分区阶梯结构还包括沿着垂直于所述堆叠方向且与所述第一方向交叉的第二方向设置的第一分区阶梯结构和第二分区阶梯结构；以及第一墙结构，设置为沿着所述第一方向延伸并与所述第一分区阶梯结构接触，以电连接所述存储阵列结构和所述第一分区阶梯结构；以及第二墙结构，设置为沿着所述第二方向延伸并与所述第一墙结构电连接，使得所述第二分区阶梯结构经由所述第二墙结构与所述第

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823688 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210370939.1 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日 2022.