一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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一种半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于避免沟道释放后具有较大栅极长度的环栅晶体管的沟道存在弯曲或粘连问题，降低在同一衬底上实现集成电路中具有较大栅极长度的晶体管与其余的环栅晶体管的制造难度。所述半导体器件包括：衬底、鳍式场效应晶体管和环栅晶体管。衬底具有第一区域和第二区域。沿着衬底的厚度方向，鳍式场效应晶体管包括的第一沟道具有至少一层叠层。每层叠层包括第一材料层、以及位于第一材料层上的第二材料层。第一材料层和第二材料层所含有的材料不同。环栅晶体管包括的第二沟道具有第二材

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823668 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210273113.3 (22)申请日 2022.03.18 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10