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本发明涉及一种基于超结结构的高压逆阻型功率半导体器件及制备方法。其包括半导体基板以及元胞区；半导体基板包括第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区以及第一导电类型外延层；在第一导电类型漂移区内设置超结结构，元胞区内的元胞与第一导电类型外延层对应，超级结构内的第二导电类型柱通过第一导电类型外延层与元胞区内的第二导电类型基区隔离，且所述超结结构内的第二导电类型柱通过第一导电类型衬底与设置于第一导电类型衬底背面的第二导电类型集电区隔离。本发明既可以降低高压超结高深宽比的深槽刻蚀和填充难度，又可以在实现高耐
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823852 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210416083.7
(22)申请日 2022.04.20
(71)申请人 南京芯长征科技有限公司
地址 21
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