一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法.pdf

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一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法。涉及半导体器件。包括以下步骤：S001：N+衬底选取；根据不同产品的耐压需求，选择不同电阻率的N+衬底硅片；S002：P区硼预沉积及扩散；在N+衬底表面沉积硼杂质，通过高温扩散，将N+衬底硅片划分成P区和的集电极区；S003：氧化；在晶片表面生长氧化膜；S004：一次正面N+待扩散区选择性光刻：在P区的上表面预留出待制备发射区的区域，其余用光阻剂保护；S005：氧化膜去除：将待制备发射区上方的氧化膜去除，暴露出正面待扩散的发射区；本发明实现了低反向漏电流、低

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823506 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210449797.8 (22)申请日 2022.04.24 (71)申请人扬州杰利半导体有限公司地址 22