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本发明涉及一种沟槽栅极半导体器件及其制造方法。该沟槽栅极半导体器件的每个单位单元包括第一沟槽和从第一沟槽底部延伸的第二沟槽。半导体器件还包括:布置在第一沟槽的第一侧壁上的栅极氧化物层;布置在第二沟槽的第二侧壁和底部上的第二氧化物层;布置在第一沟槽内部的第一多晶硅区,该第一多晶硅区通过栅极氧化物层与第一侧壁分离,并且形成单位单元的栅极。另外,半导体器件包括:布置在第二沟槽内部的第二多晶硅区,该第二多晶硅区通过第二氧化物层与第二沟槽的第二侧壁和底部分离,并且形成单位单元的掩埋源极;以及第三氧化物层,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823877 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210047391.7
(22)申请日 2022.01.17
(30)优先权数据
0 2021
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