一种分栅快闪存储单元及其制备方法.pdfVIP

一种分栅快闪存储单元及其制备方法.pdf

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本发明提供一种分栅快闪存储单元及其制备方法,包括:衬底及形成于所述衬底上的源线及两个存储位,两个所述存储位对称设置,所述源线位于两个所述存储位之间;每个所述存储位包括浮栅、栅介质层、擦除栅、字线栅及遂穿氧化层,所述擦除栅包括第一部分和第二部分,所述第一部分沿水平方向延伸。所述第二部分沿竖直方向延伸;所述字线栅及所述遂穿氧化层依次堆叠于所述衬底上,且所述字线栅向上延伸至覆盖所述栅介质层及所述第一部分远离所述源线的一侧的侧壁。将所述擦除栅分为两部分,有效减小器件的尺寸,同时,所述擦除栅的设置可以减小

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823685 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210435368.5 (22)申请日 2022.04.24 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地址

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