一种半导体器件.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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一种半导体器件.pdf

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本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底、超级结构和栅极结构。其中，超结结构，形成在所述漂移区中并位于所述阱区和所述漏区之间，并且所述超结结构的尺寸小于所述阱区至所述漏区之间的间隔尺寸，以使所述超结结构和所述阱区间隔设置。在本发明提供的半导体器件中，减小超结结构的长度，在阱区与超结结构间保留部分漂移区，通过阱区与超结结构之间的漂移区与衬底进行相互耗尽，提高源端的电场强度，降低超结结构中的电荷非平衡，从而有助于消除衬底辅助耗尽效应，提高器件表面的电场分布的均匀性，大幅提高器件的击穿电压。同时，栅极结

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823854 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210420868.1 (22)申请日 2022.04.20 (71)申请人上海华力微电子有限公司地址 20