一种高存储密度的多状态ROM电路.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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一种高存储密度的多状态ROM电路.pdf

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本发明公开了一种高存储密度的多状态ROM电路，包括内部存储器、ROM、控制处理器、总线、主机接口、缓冲存储器和存储器接口，所述内部存储器通过总线进行通信，所述ROM通过总线进行通信，所述控制处理器通过总线进行通信，所述主机接口通过总线进行通信，所述缓冲存储器通过总线进行通信，所述存储器接口通过总线进行通信；所述ROM包括第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元和第四ROM存储单元，所述第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元和第四ROM存储单元均为单独的存储单

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114817092 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210382971.1 (22)申请日 2022.04.13 (71)申请人苏州菲斯力芯软件有限公司地址 2