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一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括基底以及位于所述基底上的若干相互分立的鳍部;在所述衬底上形成若干初始栅极结构;在所述初始栅极结构的顶部表面形成保护层;在所述保护层上形成图形化层,所述图形化层内具有若干图形化开口,所述图形化开口暴露出部分所述保护层的顶部表面;以所述图形化层为掩膜刻蚀保护层和所述初始栅极结构,在所述初始栅极结构内形成隔离开口;采用平坦化工艺去除保护层。通过增设保护层,使得刻蚀停止在所述保护层的表面,进而避免对所述初始栅极结构的顶部表面造成损伤。另外,通过平坦化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114792630 A
(43)申请公布日 2022.07.26
(21)申请号 202110106510.7
(22)申请日 2021.01.26
(71)申请人 中芯国际集成电路制
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