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本发明提供了一种硅基叠层结构辐射伏特式同位素电池，包括呈超薄叠层结构的硅换能元件(1)、同位素源(2)和电极单元(3)。所述硅换能元件(1)采用PN结型或PIN结型结构，所述同位素源(2)设置在所述两层硅换能元件(1)之间，所述电极单元(3)位于硅换能元件(1)两侧用于引出生成电流。本发明结构简单，利用3H同位素、63Ni同位素、或147Pm同位素作为能量来源，换能单元材料硅制备工艺相对成熟，可形成适应能力强和长时间稳定工作的电源装置。本发明同位素电池的功率密度可达到500μW/cm3以上，相对
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114822902 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210502108.5
(22)申请日 2022.05.10
(71)申请人 中国科学院合肥物质科学研究院
地址
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