一种结晶硫化方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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一种结晶硫化方法.pdf

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本申请涉及材料生长处理领域，尤其涉及一种结晶硫化方法，将待结晶材料置于硫氛围中进行加热至预设温度，以实现所述待结晶材料的结晶硫化，得到结晶材料，其中，所述待结晶材料为含钼物质，所述硫氛围包含气态有机硫源。待结晶材料在有机硫源的硫氛围中加热，可以减少硫的逸出，使在结晶的晶体中硫空位被填补，获得硫空位缺陷少的结晶材料，也避免了其他硫源污染二硫化钼的晶体，如硫粉；同时，有机硫源在使用过程中毒性较低；得到的结晶材料具有较高的结晶率和晶体均匀性，降低了晶体缺陷，从而具有很好的电学性能，包括较高的导电性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114808117 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210243792.X (22)申请日 2022.03.10 (71)申请人嘉兴科民电子设备技术有限公司地址