一种结晶硫化方法.pdfVIP

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本申请涉及材料生长处理领域,尤其涉及一种结晶硫化方法,将待结晶材料置于硫氛围中进行加热至预设温度,以实现所述待结晶材料的结晶硫化,得到结晶材料,其中,所述待结晶材料为含钼物质,所述硫氛围包含气态有机硫源。待结晶材料在有机硫源的硫氛围中加热,可以减少硫的逸出,使在结晶的晶体中硫空位被填补,获得硫空位缺陷少的结晶材料,也避免了其他硫源污染二硫化钼的晶体,如硫粉;同时,有机硫源在使用过程中毒性较低;得到的结晶材料具有较高的结晶率和晶体均匀性,降低了晶体缺陷,从而具有很好的电学性能,包括较高的导电性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114808117 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210243792.X (22)申请日 2022.03.10 (71)申请人 嘉兴科民电子设备技术有限公司 地址

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