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本发明公开了一种阴面相位梯度超表面结构,包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构,所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部。根据巴比涅原理,阴面相位梯度超表面单元结构与常规相位梯度超表面单元结构互补,将原本非金属部分填充为金属,利用缝隙辐射的原理引入相位梯度超表面,可以对辐射的电磁波进行调控。所述阴面相位梯度超表面单元结构由不同尺寸的单元组成,结果表明阴面相位梯度超表面具有传统相位梯度超表面相似的特征,即在阻抗带宽范围内方向图随着频率的变化而具有扫描特性,若合理组成阵列可提高缝隙单元
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114824810 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210315126.2
(22)申请日 2022.03.28
(71)申请人 桂林电子科技大学
地址 54100
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