一种低寄生电容集成电感结构.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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一种低寄生电容集成电感结构.pdf

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本发明提出了一种低寄生电容集成电感结构，该结构通过trench工艺在金属薄膜下方开出密集的细沟槽结构，该密集细沟槽结构能够大大降低金属‑氧化物‑半导体间的寄生电容COX，随着沟槽工艺技术的提升，该结构对COX的屏蔽作用则更强，使得集成电感的自谐振频率大大提高，若再配合使用低电阻率金属材料降低金属寄生串联电阻RS，则可以适用于超高频率低损耗IPD集成滤波器的设计与实现。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823638 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210451700.7 (22)申请日 2022.04.27 (71)申请人电子科技大学地址 611731