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本公开涉及含铋氧化镓系半导体膜的成膜方法、含铋氧化镓系半导体膜及含铋氧化镓系半导体元件。本公开的方法是通过使用了含有氧化镓和氧化铋的靶的脉冲激光沉积法在基材上形成含铋氧化镓系半导体膜的方法,使所述基材的温度为650℃~1000℃,并且,使激光强度为1.0J/cm2~10.0J/cm2。本公开的含铋氧化镓系半导体膜的铋的原子数相对于铋与镓的原子数的合计的比例为0.50at%~10.00at%,并且,该含铋氧化镓系半导体膜具有β‑gallia结构。本公开的含铋氧化镓系半导体元件具有基材和层叠在基材上
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114807869 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202111517300.3 H01L 29/24 (2006.01)
(22)申请日 2021.12.
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