半导体结构的制造方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于北京
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半导体结构的制造方法.pdf

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本公开描述一种具低接触电阻的二维通道场效晶体管及此结构的制造方法。方法包括于半导体基板上沉积介电层，于介电层上沉积金属层，且于金属层上沉积硬遮罩层。方法更包括借由移除部分硬遮罩层和部分金属层形成栅极开口。方法更包括于栅极开口的侧壁上沉积间隙壁材料层和形成通道，通道包括在栅极开口的底部的过渡金属硫属化合物(TMC)层。方法更包括于通道上和栅极开口中形成栅极结构以及移除硬遮罩层。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823870 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210178828.0 H01L 29/417 (2006.01)