一种晶圆级多芯片堆叠封装结构及工艺.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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一种晶圆级多芯片堆叠封装结构及工艺.pdf

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本发明提供了一种晶圆级多芯片堆叠封装结构及工艺，包括衬底、分布在衬底上的第一芯片、设置在第一芯片上的第一再布线层、连接第一再分布层表面的第一金属连接结构、布置在第一金属连接结构所围区域之间的第二芯片；所述第二芯片上设有第二再布线层或第二金属连接结构，所述第一金属连接结构和第二芯片被包裹在塑封层中，第一金属连接结构和第二再布线层在超出塑封层的端部设有凸块，或第一金属连接结构和第二金属连接结构在超出塑封层的端部设有凸块。本发明在第一再布线层上选择固定第一金属连接结构的位置，由各个第一金属连接结构围成

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823585 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210738018.6 (22)申请日 2022.06.28 (71)申请人江苏芯德半导体科技有限公司地址