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本发明涉及半导体深硅刻蚀技术领域,公开了一种用于降低刻蚀工艺掉片率的方法、装置和刻蚀装置,用于降低刻蚀工艺掉片率的装置包括通气控制器和陶瓷遮挡盘;通气控制器一端用于连接进气管道,另一端用于连接刻蚀设备的通气管路,陶瓷遮挡盘设置于刻蚀设备的下电极基座上;通气控制器用于在刻蚀完成后,向刻蚀设备内通入气体,使晶圆片浮起和下落,以消除刻蚀完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应;陶瓷遮挡盘用于限制晶圆片浮起过程中晶圆片的移动范围。本发明提供的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置,通过陶瓷遮挡盘和通气控制器的共同使用,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114864468 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210343293.8
(22)申请日 2022.03.31
(71)申请人 中国电子科技集团公司第十三研究
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