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本发明公开了一种硅基GaNHEMT散热增强封装结构及其制备方法，属于信息材料与器件领域，该结构是以基板（1）为载体，通过芯片粘接方式与高导热层（2）相连接，所述高导热层（2）上方与GaNHEMT相连接，所述GaNHEMT从下往上依次包括GaN缓冲层（3）、GaN沟道层（4）、AlGaN势垒层（5）、介质钝化层（9）以及金属电极。本发明制备的该结构通过剥离硅基GaNHEMT的低热导率硅衬底，并通过高导热材料与基板连接，避免了硅基材料导致的热量集聚效应，提高了高功率密度GaNHEMT芯片的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114864519 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210344452.6 H01L 21/50 (2006.01)
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