杂化官能度硅烷无引发悬浮聚合制备高纯SiC多晶源粉的方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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杂化官能度硅烷无引发悬浮聚合制备高纯SiC多晶源粉的方法.pdf

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高纯SiC多晶源粉的杂化官能度硅烷无引发悬浮聚合制备方法，它涉及一种高纯碳化硅多晶源粉的制备方法，它要解决现有的SiC多晶源粉的制备方法的纯度低、副产物多、氮含量高和成本高的技术问题。本方法：一、制备杂化碳硅树脂；二、树脂洗涤干燥；三、辐照交联联合初级热解碳化；四、前驱体陶瓷高温还原晶化。本方法制备的碳化硅多晶源粉的纯度达到6N以上，每克产品中氮原子含量低于1016个。可用于高纯碳化硅制备领域。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114804113 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210586713.5 (22)申请日 2022.05.26 (71)申请人哈尔滨晶彩材料科技有限公司地址