沟槽型MESFET.pdfVIP

下载本文档

1
0
约2.4万字
约 17页
2023-05-18 发布于北京
举报
版权申诉

沟槽型MESFET.pdf

1、本文档共17页，其中可免费阅读16页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

提供一种沟槽型MESFET(1)，具备：n型半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有在一个面(19)上开口的多个沟槽(12)；绝缘体(14)，其埋入于多个沟槽(12)各自的底部；栅极电极(13)，其埋入于多个沟槽(12)各自的绝缘体(14)上，在其侧面与n型半导体层(11)接触；源极电极(16)，其连接到n型半导体层(11)的相邻的沟槽(12)之间的台面形状部(18)；绝缘体(15)，其埋入于多个沟槽(12)各自的栅极电极(13)上，将栅极电极(13)与源极电极(16)绝缘；以及漏极电极(

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114846590 A (43)申请公布日 2022.08.02 (21)申请号 202080090078.0 (74)专利代理机构北京市隆安律师事务所