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本发明提供利用了隧道接合并发出深紫外光,抑制形成隧道接合的n型层和p型层对光的吸收的发光元件。作为本发明的一个方式,提供一种发光元件(1),其具备n型接触层(12)、发出深紫外光的发光层(13)、由包含Mg的AlGaInN构成的p型层(15)、与p型层(15)进行隧道接合并由n型半导体构成的n型接触层(16)、与n型接触层(12)连接的n电极(18)、以及与n型接触层(16)连接的p电极(17),p型层(15)和n型接触层(16)的带隙大于发光层(13)的带隙,p型层(15)的与n型接触层(16
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883457 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202111601264.9
(22)申请日 2021.12.24
(30)优先权数据
2021-017635 202
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