原位加热芯片及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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原位加热芯片及其制造方法.pdf

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本发明的原位加热芯片及其制造方法，能够在很小的范围内进行加热并能够实现较高的温度梯度。原位加热芯片(100)包括：由硅构成的基片；形成在基片的至少1个主面上的二氧化硅层；和形成在二氧化硅层上的氮化硅层，原加热芯片(100)形成有通过除去基片而保留至少1个氮化硅层而成的加热微区薄膜窗口，在加热微区薄膜窗口形成有至少2个能够独立地加热的加热区域，在每个加热区域，在氮化硅层上形成有金属薄膜电阻图案(102)和与金属薄膜电阻图案(102)电连接的多个电极(102‑1、102‑2、102‑3、102‑4)

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899070 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210205477.8 (22)申请日 2022.03.04 (71)申请人中国科学院合肥物质科学研究院地址