蒸发源装置.pdfVIP

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本发明提供一种蒸发源装置,包括真空室以及位于真空室内的基座、至少一个真空盒、至少一个控制阀门;至少一个真空盒设置于基座上,真空盒内设置有坩埚;真空盒与控制阀门连接;控制阀门包括相对设置的第一管口和第二管口,第一管口与真空盒相连通,第二管口与真空室相连通;本发明通过将坩埚设置于真空盒内,可以阻挡飞溅的原料蒸镀至基板,通过使真空盒内产生的蒸镀源通过控制阀门进入真空室内,可以通过改变控制阀门的开合程度,从而控制蒸气流量,从而在蒸发镀膜过程中时刻控制镀膜的厚度,提高镀膜质量;还可以使原料均匀反应,避免产

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875364 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210522023.3 (22)申请日 2022.05.13 (71)申请人 武汉华星光电半导体显示技术有限

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