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本发明公开了一种多晶硅栅切割方法，包括：在有源区中形成STI，并淀积多晶硅；在多晶硅上淀积第一硬掩膜层；在第一硬掩膜层上旋涂光刻胶；打开多晶硅栅切割光刻窗口；执行光刻后去除光刻胶；淀积第一氧化层；执行第一研磨平坦化去除第一硬掩膜层上的第一氧化层；去除第一硬掩膜层，保留剩余第一氧化层；修整剩余第一氧化层形貌，其覆盖位置是最终多晶硅去除的位置；淀积第二硬掩膜层；执行第二研磨平坦化去除剩余第一氧化层上的第二硬掩膜层；刻蚀去除剩余第一氧化层；刻蚀形成多晶硅栅；去除第二硬掩膜层。本发明通过光刻使用图案转移
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114899148 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210395911.3
(22)申请日 2022.04.14
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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