晶体生长装置、晶体直径控制方法、系统及存储介质.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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晶体生长装置、晶体直径控制方法、系统及存储介质.pdf

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本发明公开了一种晶体生长装置、晶体直径控制方法、系统及存储介质，晶体生长装置包括：直径获取单元、坩埚、导流筒、加热单元、晶体提拉单元、坩埚升降单元、导流筒升降单元和控制单元，控制单元与直径获取单元、加热单元、晶体提拉单元、坩埚升降单元和导流筒升降单元连接，用于根据所述当前晶体直径与预设的目标晶体直径的直径偏差，计算需要调整的液面距偏差，并根据所述液面距偏差调整所述导流筒的位置，以相应改变液面距，从而对所述直径偏差进行修正，其中，所述液面距为所述熔体液面与所述导流筒的距离。根据本发明的晶体生长装置

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114892263 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210473460.0 (22)申请日 2022.04.29 (71)申请人上海新昇半导体科技有限公司地址