一种无退火工艺的SiC欧姆接触制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种无退火工艺的SiC欧姆接触制备方法.pdf

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本发明公开了一种无退火工艺的SiC欧姆接触制备方法，该方法首先对4H‑SiC外延片进行标准RCA清洗及前处理；接着在高温真空条件在4H‑SiC外延片上沉积欧姆金属层；最后对沉积欧姆金属层的4H‑SiC外延片做后处理。本发明提供的无退火工艺的SiC欧姆接触制备方法，该方法通过高温生长并反应形成欧姆接触的合金层代替传统热退火形成欧姆接触的工艺，避免了热退火过程中的不稳定因素对欧姆接触特性造成影响，降低了欧姆接触的被氧化和污染的风险，改善了SiC欧姆接触稳定性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883180 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210463638.3 (22)申请日 2022.04.27 (71)申请人中国工程物理研究院电子工程研究