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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有多个刻蚀阻挡部；顺序刻蚀所述第一介质层、所述刻蚀阻挡部及所述衬底，以在所述衬底内形成隔离沟槽，所述隔离沟槽在所述衬底内限定出多个分立的有源区，其中，所述刻蚀阻挡部在所述衬底平面上的正投影与所述有源区的外周紧贴或相邻，且经所述刻蚀阻挡部的刻蚀阻挡作用，在位于多个所述刻蚀阻挡部的下方的隔离沟槽内形成多个与所述有源区的侧壁紧贴或相邻的支撑结构，所述支撑结构的上表面低于所述衬底的上表
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883245 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210474862.2
(22)申请日 2022.04.29
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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